SiC 단결정 제조를 위한 PVT 기술의 지속적인 개발로 전체 SiC 단결정 산업 체인도 끊임없이 발전하고 있습니다. "고-순도 소재 및 2개-코팅"은 SiC 단결정 생산 체인에 고순도-원료 및 소모품을 지속적으로 제공할 것입니다.
고순도-SiC 분말:통계에 따르면 탄화규소 결정 성장에 사용되는 SiC 분말의 순도(질량 분율, 아래와 동일)는 99.95% ~ 99.9999%입니다. 현재 개선된 자가 전파 고온- 합성 방법은 고순도 SiC 분말 합성 방법 중 가장 대표적인 방법입니다.- 이 방법은 간단하고 효율적이며 일반적으로 고순도 SiC 분말 합성을 위한 SiC 분말 제조에 사용됩니다.
고순도-탄소 분말:탄소 분말의 순도는 SiC 분말의 순도에 직접적인 영향을 미칩니다. 현재 SGL Carbon(독일), Mersen(미국) 등의 회사가 고순도 탄소 분말 정제 공정을 마스터했으며, 중국의 Dingli Technology는 6N 탄소 분말 정제 공정을 마스터했습니다.
고순도-흑연:고순도-흑연 제품은 3세대-세대 반도체 단결정 성장 장비, 주로 SiC 단결정 성장로의 흑연 도가니 및 히터에 널리 사용됩니다. 또한 흑연 기판과 고온-내열성 절삭-코팅 흑연 기판의 GaN 에피택셜 성장에도 일반적으로 사용됩니다.
고순도-경질 펠트:PVT 단결정 성장 공정에서 탄소섬유 경질 펠트는 보온 역할을 하며, 경질 펠트의 순도는 SiC 결정의 성공적인 성장에 매우 중요합니다. 절연 강성 펠트 소재의 불순물은 성장 과정에서 오염의 원인 중 하나입니다. 탄소섬유 경질 펠트의 주요 불순물 원소 함량은 10⁻⁶ 이하로 제어되어야 하며 총 회분 함량도 엄격하게 제어되어야 합니다.
SiC 코팅
SiC 코팅은 주로 반도체 제조에서 소모품으로 사용됩니다. 핵심 성능 지표에는 코팅 균일성, 열팽창 계수 및 열전도율이 포함됩니다. 실리콘 카바이드- 코팅 흑연 디스크는 현재 단결정 실리콘 에피택셜 성장 및 갈륨 질화물(GaN) 에피택셜 성장에 사용할 수 있는 최고의 기판 중 하나이며 에피택시로의 핵심 구성 요소입니다.
탄탈륨 카바이드(TaC) 코팅
TaC-코팅 흑연은 순수 흑연 또는 SiC-코팅 흑연보다 더 나은 화학적 내식성을 나타냅니다. 최대 2600도까지의 온도에서 안정적으로 사용할 수 있으며 많은 금속 원소와 반응하지 않습니다. 이 코팅은 3세대-세대 반도체 단결정 성장과 웨이퍼 에칭을 위한 최고의-성능을 발휘하는 코팅으로, 공정 중 온도 및 불순물 제어를 크게 개선하고 고품질 탄화규소 웨이퍼 및 관련 에피택셜 웨이퍼를 생산합니다. 특히 MOCVD 장비에서 GaN이나 AlN 단결정 성장, PVT 장비에서 SiC 단결정 성장에 적합해 성장된 단결정의 품질이 크게 향상된다.
고순도 SiC 분말은 SiC 결정 성장의 직접적인 원료로서 SiC 단결정의 품질에 직접적인 영향을 미칩니다. 고-순도 탄소 분말의 순도가 SiC 분말의 순도를 결정합니다. 많은 불순물 중에서 질소(N) 함량이 가장 높으며, N 함량을 줄이기 위한 추가 연구가 필요합니다. 고순도-경질 펠트와 고순도 흑연 제품은 PVT 장비의 필수 구성 요소이며, 이들의 불순물과 회분 함량은 성장 중 결정 품질에 큰 영향을 미칩니다. 보호 코팅인 SiC 및 TaC 코팅은 양호하고 균일하며 두꺼운 증착을 달성하는 등 CVD 코팅 준비에서 추가 조사가 필요한 과제에 직면해 있습니다.